AOSN沟道场效应管 20A600V AOTF190A60L

    AOSN沟道场效应管 20A600V AOTF190A60L

  • 2022-08-02 17:04 1290
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深圳市兴科泰科技有限公司

AOTF190A60L 20A600V

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600 V

25°C 时电流 - 连续漏较 (Id)

20A(Tc)

驱动电压( Rds On,较小 Rds On)

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值)

190 毫欧 @ 7.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(值)

4.6V @ 250µA

不同 Vgs 时栅较电荷 (Qg)(值)

34 nC @ 10 V

Vgs(值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)

1935 pF @ 100 V

FET 功能

标准

功率耗散(值)

32W(Tc)