FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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漏源电压(Vdss) | 600 V |
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25°C 时电流 - 连续漏较 (Id) | 20A(Tc) |
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驱动电压( Rds On,较小 Rds On) | 10V |
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不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) | 190 毫欧 @ 7.6A,10V |
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不同 Id 时 Vgs(th)(值) | 4.6V @ 250µA |
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不同 Vgs 时栅较电荷 (Qg)(值) | 34 nC @ 10 V |
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Vgs(值) | ±20V |
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) | 1935 pF @ 100 V |
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FET 功能 | 标准 |
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功率耗散(值) | 32W(Tc) |
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