深圳市兴科泰科技有限公司
IRF1010E IR场效应管
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏较 (Id)
84A（Tc）
驱动电压（ Rds On，较小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）
12 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅较电荷 (Qg)（值）
130 nC @ 10 V
Vgs（值）
±20V
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