晶体管数字图示仪 半导体测试系统 资质齐全

电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型，通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET），结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。
当一只正常晶体管插在端子之间时，它限制电流只能沿某些方向流动。串联的LED表示出这些方向，因此指示出了晶体管的类型。例如，对NPN晶体管，LED发光为红-绿-红;而对PNP晶体管，发光为绿-红-绿。

电路使用两只CD4022或CD4017计数器IC1和IC2;一只单门方波振荡器G4;以及一个CD4011四与非门，G1至G3。每个端子串接一对LED，用于指示电流的方向。LED的颜色直接表示出晶体管的结端。图2是一个简单示意图，有助于理解的过程。每个端子都有一对NPN晶体管Q1与Q3和PNP晶体管Q4与Q6，连接到-V或+V上，它们在端子之间建立了所需电势差。电路生成端子之间所有可能或需要的+V与-V组合，以建立起结的关系。Q7和Q8作为电压转换器，而G1至G3是抑制器，防止T1至T3出现同时为+V和-V的冲突情况。​​​

晶体管仪电路图时基电路NE555、R1、R2、C2等组成振荡频率约16KHZ的自激振荡器，其输出信号通过三管VT1放大后驱动升压变压器T，在T次级输出感应脉动电压。此电压经VD1整流、C5滤波，在a点取得1.8KV左右的用直流高压电源。VT2、R7（或R8）、R3、C4等组成保护电路，当被测管穿透电流大于一定值（大功率管0.7mA，小功率管70μA）时，三管VT2饱合导通，NE555因*④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的穿透电流下降，然后，NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的耐压值上。时，将被测管按性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S拨向1端，测大功率管时S拨向2端，按动按钮SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。电阻R5用于泄放C5的残留高压，以防者遭电击。二管VD2用于抵消VT2基电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。

晶体管仪电路图简单晶体管仪可以判断出晶体管的类型，并且能帮助检测出晶体管的发射、集电和基。其方法是检查被测晶体管三个端子T1、T2和T3之间流过的各种可能电流方向的组合。
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